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SIS435DNT-T1-GE3中文资料

SIS435DNT-T1-GE3图片

SIS435DNT-T1-GE3外观图

  • 大小:179KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
  • 现有数量:1,983现货
  • 价格:1 : ¥6.28000剪切带(CT)3,000 : ¥2.42075卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5.4 毫欧 @ 13A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):180 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5700 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.7W(Ta),39W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerPAK? 1212-8
  • 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8

SIS435DNT-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-25 23:54:43
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